揚(yáng)州欣達(dá)電子有限公司

    在溝渠和孔洞消除之后，再入射到基片表面上的氣相原子便直接吸附在薄膜上、通過(guò)合并作用而形成不同結(jié)構(gòu)的薄膜。有些薄膜在島的合并階段，小島的取向就發(fā)生顯著變化。對(duì)于外延薄膜的形成，其小島的取向相當(dāng)重要。在形成多晶薄膜時(shí)，除了在外延膜中小島合并時(shí)必須有相互一定的取向之外，在合并時(shí)還出現(xiàn)一些再結(jié)晶現(xiàn)象。以致薄膜中的晶粒大于初始核之間的距離。即使基片處在室溫條件下，也有相當(dāng)數(shù)量的再結(jié)晶發(fā)生。每個(gè)晶粒大約包含100個(gè)或更多的初始核區(qū)域。由此可以看出，薄膜中晶粒尺寸的大小取決于核或島合并時(shí)的再結(jié)晶過(guò)程，而不取決于初始核的密度。